Rozszerzona pamięć o dostępie swobodnym wyjścia danych

EDO RAM SIMM

2 × 512kB EDO-RAM firmy Mosel Vitelic na grafice 3dfx Voodoo

EDO RAM ( E Xtended D ATA O utput RAM , znany również jako Hyper trybu strony RAM poniżej) jest pamięć półprzewodnikowa . Należy do grupy DRAM i zapewnia niewielki rozwój RAM FPM ( M AST P wiek M Oda RAM ). Ze względu na jego podwyższonej szybkości transmisji danych zaczynającym ten począwszy od około 1996 do wymiany.

Detale

Różnica między EDO i FPM RAM jest zauważalna tylko w tak zwanym trybie pagemode, w którym kilka bitów danych jest odczytywanych z tej samej strony pamięci ( strony ). W tym przypadku wszystkie mają ten sam adres wiersza (adres wiersza ), ale różne adresy kolumn ( adres kolumny ). Protokół można uprościć - zarówno w przypadku FPM-RAM, jak i EDO-RAM - przez pominięcie transmisji adresu linii, który pozostał taki sam. Aby odczytać dane ze strony pamięci, konieczne jest tylko przesłanie adresu kolumny.

Ważność adresu kolumny jest wskazywana przez opadającą krawędź (patrz schemat dostępu do odczytu ) na zewnętrznym wejściu sterującym CAS ( stroboskop adresu kolumny ). Po pewnym czasie DRAM udostępnia nowe dane na swoich wyjściach. EDO-RAM różni się od FPM-RAM jednym małym szczegółem. Chociaż moduły pamięci FPM i EDO-RAM przeznaczone do płyt głównych komputerów („płyt głównych”) fizycznie mieszczą się w tych samych gniazdach, EDO-RAM albo nie działa na płytach głównych bez obsługi EDO, albo jest adresowany jak FPM. Z drugiej strony jednak płyty główne z obsługą EDO prawie zawsze mogą być obsługiwane z FPM-RAM. EDO-RAM jest dostępny z czasami dostępu 70 ns, 60 ns i 50 ns. EDO-RAM z czasem dostępu 70 ns może powodować problemy na płytach głównych, które obsługują magistralę FSB z częstotliwością taktowania 66 MHz. Najbardziej rozpowszechnione były wersje o maksymalnej pojemności 32 MiB , podczas gdy wersje o pojemności 64 MB lub większej często okazały się niekompatybilne z płytami głównymi dostępnymi na rynku. Później pojawiły się nawet moduły z 128 MiB, ale z powodu dominacji SDRAM- u w tamtym czasie nie były już sprzedawane w dużych ilościach.

W starszych FPM-RAM unieważnienie adresu kolumny jest sygnalizowane przez narastające zbocze linii sterującej CAS. W rezultacie FPM-RAM dezaktywuje swoje sterowniki danych, przez co poprzednio ważna data znika z zewnętrznych wyjść danych (patrz schemat trybu stronicowego ). Stan wyjść danych pozostaje nieokreślony, dopóki proces nie zostanie powtórzony przez podanie nowego adresu kolumny i zbocza opadającego na linii CAS. FPM-RAM sprawia, że dane odczytane w Pagemode są dostępne na swoich wyjściach tylko przez ułamek czasu cyklu .

Jednak w nowszym EDO-RAM narastające zbocze linii sterującej CAS jest ignorowane. Sterowniki danych pozostają aktywne, a odczytane wcześniej informacje pozostają na zewnętrznych wyjściach danych, dopóki nie zostaną zastąpione nowymi informacjami (patrz schemat trybu EDO ).

Ta modyfikacja protokołu nie powoduje początkowo żadnego wzrostu szybkości przesyłania danych. Jedyne, co osiągnięto, to to, że data odczytu jest dostępna na zewnętrznych wyjściach danych przez cały czas cyklu trybu stronicowania. Wydłużony czas dostępności odczytanych danych w EDO-RAM umożliwił lepsze wykorzystanie wzrostu szybkości związanego z dalszym rozwojem pamięci DRAM poprzez dalsze stopniowe zmniejszanie czasu cyklu w trybie pagemode . Wydłużony czas dostępności danych w ramach cyklu zapewniał niezawodny odczyt danych pomimo skróconego czasu cyklu. Wzrost wydajności EDO-RAM osiągnięty w Pagemode był zwykle przeszacowywany i mieścił się w zakresie zaledwie kilku procent.

Późniejsze wydarzenia

W BEDO-DRAM zostało zmodyfikowane wewnętrzne sterowanie EDO-RAM, dzięki czemu dane z kilku kolejnych adresów pamięci mogą być odczytywane razem w jednym cyklu zegara. Ta technologia nie mogła się ugruntować na rynku.

EDO-RAM został zastąpiony przez SDRAM w prawie wszystkich obszarach zastosowań .